Micron Technology
IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA (MT47H512M4THN-3:E TR)
Part Number: MT47H512M4THN-3:E TR
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: DRAM
- Технология: SDRAM - DDR2
- Объем памяти: 2Gb (512M x 4)
- Скорость: 333MHz
- Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
- Время доступа: 450ps
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V
- Рабочая температура: 0°C ~ 85°C (TC)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 63-FBGA
- Исполнение корпуса: 63-FBGA (9x11.5)
Цена по запросу